SAIMEMORYの新構造メモリは、MRAMの技術と融合しないと倒産してしまうぞ！

低消費電力に焦点

性能と熱のトレードオフを突破

https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2602/03/news099.html




Intelの日本法人であるインテルは2026年2月3日、最新AI PCを紹介するイベント「Intel Connection Japan 2026」を開催した。基調講演では、同日に発表されたSAIMEMORYが開発する次世代メモリ技術「ZAM」での協業についても紹介した。【訂正あり】

2026年02月03日 15時55分 公開
[杉山康介，EE Times Japan]

　Intelの日本法人であるインテルは2026年2月3日、最新AI PCを紹介するイベント「Intel Connection Japan 2026」を開催した。基調講演「インテルCore Ultraシリーズ3プロセッサが切り拓く、AI PCとエッジAIの新たな未来」の中では、同日に発表されたSAIMEMORYとの協業についても紹介した。

　SAIMEMORYは、次世代メモリ技術の実用化に向け、2024年12月にソフトバンクが設立した子会社だ。両社は高容量／広帯域／低消費電力の次世代メモリ技術「ZAM」（Z-Angle Memory：ザム）の実用化に向けて協業契約を締結し、2027年度中のプロトタイプ作製、2029年度中の実用化を目指すとしている。

ーーー

MRAMとは？


MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory：磁気抵抗メモリ）は、磁性体の電子スピンを利用してデータを記憶する、次世代の不揮発性（電源を切ってもデータが消えない）メモリです。高速な読み書き、高い耐久性、低消費電力を両立し、キャッシュメモリやIoT機器、車載向けエッジAIへの応用が期待されています。
MRAMの主な特徴
  • 不揮発性: 電源をオフにしても記憶内容を保持。
  • 高速動作: DRAM並みの速さでデータを読み書き可能。
  • 高耐久性: 書き換え可能回数が非常に多く（10
    回以上）、ほぼ無限。
  • 低消費電力: 特にSTT-MRAM方式は消費電力が小さい。
動作原理と構造
磁気トンネル接合（MTJ）素子を活用し、2つの強磁性体層の電子スピンの向き（平行・反平行）によって磁気抵抗が変化する「トンネル磁気抵抗効果（TMR）」を利用して「0」「1」を識別します。
  • STT-MRAM (Spin-Transfer Torque MRAM): 電流を直接流してスピンの向きを反転させる最新の主流技術。微細化に適している。
  • Toggle MRAM: 外部磁界を利用してデータを書き換える方式。
応用分野と将来展望
  • ウエアラブル機器・IoT: スマートウォッチ（Fitbitなど）やIoTセンサーで低消費電力メモリとして実用化。
  • 車載用・産業機器: 高い耐久性と高速性が求められる車載マイコン（ルネサスなど）やエッジAI向け。
  • 次世代のストレージ: SSDやDRAMの置き換え候補として、2030年頃には普及がさらに進むと見られている。
課題としては、DRAMと比較して依然としてコストが高い点や、技術認証に時間がかかっている点が挙げられます。

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